申博官网

中文 EN
首页
关于申博官网
新品颁布
650V Super Junction N-Channel MOSFET
650V Super Junction N-Channel MOSFET 返回
 新产品宣告

011-3

产品介绍 1.选取申博官网科技特殊多层表延工艺造程设计的650V系列超结产品，能够满足低导通损耗、低开 关损耗、EMI兼容性以及分歧电路拓扑结构利用要求，产品拥有优良的导通内阻（Rdson)和栅 极电荷（Qg)机能，降低导通损耗和开关损耗，更低的开关噪声、更低的Trr，综合提升系统稳 定性及机能。
2.开关速杜纂EMI平衡、更低的Trr特点，合用于充电器，电源适配器，TV电源、工业电源等领 域，亦可满足一些半桥或各类桥式电路拓扑结构利用要求。
产品特点 1.选取申博官网科技特殊多层表延工艺造程设计，拥有更高的工艺不变性和靠得住性，开关速杜纂EMI 平衡、更低的Trr特点；
2.系列产品拥有低导通电阻、低栅极电荷、导通损耗和开关损耗低的特点；
3.选取TO-252/ITO-220AB封装，拥有更好的热值个性。
规格书
有关新品

图片1-1

Qrr&Vf 双优! TO-247AC FRED：高效整流“实力派”

企业微信截图_17682738627839

新一代TO-247-4L车规IGBT单管——800V PTC加热器的“硬核新搭档”

1

用于汽车电子的N100V MOSFET新品

企业微信截图_17682708306294

六单元IGBT？，伺服变频蹬爪用的优选

011

120V SGT工艺N-Channel MOSFET

fengmian-

适应扁平化趋向的全新插件整流桥-JC

77

利用于面板端口的ESD产品

图片1-1

用于伺服节造器、变频器、工业电源的微沟槽IGBT

图片3

用于手机电路板的DFN1608封装幼信号肖特基二极管

011-9

用于以太网供电(PoE/PoE+)的N150V SGT MOSFETs新品

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用履历，有关信息请接见申博官网司法申明与隐衷申明。若是您选择持续浏览这个提醒，便暗示您已接受我们网站的使用条款。

【网站地图】