申博官网

中文 EN
首页
关于申博官网
新品颁布
N100V MOSFET：给PD电源铺排“低耗抗造”超顶内核~
N100V MOSFET：给PD电源铺排“低耗抗造”超顶内核~ 返回
 新产品宣告

图片3

产品介绍 申博官网科技最新推出了一系列用于PD电源的N100V MOSFET产品，产品选取特殊优化的SGT技术，拥有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，显著降低导通和开关损耗，同时提升了MOSFET抗雪崩冲击能力。
产品特点 1.选取最新优化的SGT工艺, 产品内阻低，开关个性优异；
2.选取PDFN5*6-8L 封装，合用于PD电源同步整流畅用；
3.针对电源利用的各类工作状态, 优化MOS产品EAS能力，提高产品的靠得住性。
规格书

YJG4D6G10H YJG5D2G10H YJG6D3G10H YJG7D4G10H YJG8D0G10H

有关新品

企业微信截图_16981112422054画板-1

LowVcesat 3A双极晶体管新产品颁布

未标题-1画板-1-1

TOLL封装 SiC MOSFET

011-1

1200V 80 mΩ SIC MOSFET

e65e4a89-dd90-46bf-bc97-104af9c695ba画板-1

TO-220AC内绝缘封装串联超快复原二极管

企业微信截图_17682840658029

50uA超低漏电，SOD-523幼信号稳压管解锁消费电子新可能

未标题-21画板-1

用于PD VBUS的N30V Trench MOSFET

图片3-1

用于光伏逆变器、储能逆变器的微沟槽IGBT

8

聚焦！SGT工艺N60V MOSFET新品，点亮清洁能源新效力

44

SGT N80-85V Power MOSFET

图片1

用于汽车电子的LFPAK56D封装MOSFET

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用履历，有关信息请接见申博官网司法申明与隐衷申明。若是您选择持续浏览这个提醒，便暗示您已接受我们网站的使用条款。

【网站地图】